大半导体产业供应链动态

01

台积电（TSMC）在荷兰阿姆斯特丹举办的欧洲开放创新平台（OIP）生态系统论坛上宣布，计划在2026年末开始量产基于A16（1.6纳米级）制程技术的第一批芯片。这一新节点引入了台积电的超级电源轨（Super Power Rail, SPR）背面供电网络（BSPDN），能够实现更高效的电源传输（所有电源通过芯片背面传输）和更高的晶体管密度。A16制程技术将采用全环绕栅极（GAAFET）纳米片晶体管，其架构类似于台积电的N2系列制程技术（2纳米级）。与N2P制程技术相比，A16预计在相同电压和复杂度下性能提升8%-10%，或者在相同频率和晶体管数量下功耗降低15%-20%。台积电还估计，针对高端AI处理器的设计，A16可实现芯片密度提升1.07倍至1.10倍，具体取决于晶体管类型和使用的设计库。

技术革新与性能提升：台积电的1.6纳米工艺技术是其进入“埃”级制造的标志性节点，这一技术的最显著创新之一是其背面电力输送网络（BSPDN），这一创新直接将电源供应集成到晶体管的背面，极大地提升了电力传输效率和晶体管密度。尽管BSPDN解决了一些设计挑战，却也带来了新的问题，因此需要额外的设计努力。这表明在追求更高性能和更低功耗的同时，芯片设计也面临着新的复杂性，需要设计者投入更多的精力来优化设计，以充分利用新工艺的优势。

此外，台积电的这一宣布进一步巩固了其在全球半导体制造领域的领先地位。这一突破性成就，再次凸显出台积电在半导体工艺领域的领先优势，同时也意味着英特尔和三星所面临的竞争压力会越来越大。

02

近日，小米公司在半导体领域取得了重大突破，成功流片国内首款3nm工艺手机系统级芯片（SoC），预计将在2025年正式推向市场。这一成就标志着小米在高端芯片领域的自主研发能力得到了显著提升，同时也为智能手机的未来发展开辟了新的可能性。

3nm工艺是目前全球手机芯片制造的最高水平，小米的这一突破在性能、功耗和面积（PPA）方面都有显著提升。具体来说，3纳米工艺可以带来更高的晶体管密度、更低的功耗和更高的性能，这对于提升手机的性能和续航能力具有重要意义。小米的新一代3nm芯片预计将在性能上有显著提升，甚至有可能达到或超过现有的顶级移动处理器如骁龙8Gen3和天玑9300。

小米在芯片研发方面的决心和投入由来已久。早在2014年，小米就成立了芯片设计子公司松果电子，并于2017年推出了首款自主研发的手机SoC芯片澎湃S1。虽然首款自研芯片并未取得预期的成功，但小米并未放弃自研芯片的道路。近年来，小米陆续推出了自研影像芯片澎湃C1、自研充电芯片澎湃P1和G1等，展示了其在芯片研发方面的坚定决心和雄厚实力。

小米成功流片3nm SoC芯片，不仅展示了其在高端制程技术的实力，也为未来智能手机市场带来了更多可能性。这一成就将有助于小米减少对外部芯片供应商的依赖，提升产品竞争力和市场话语权。这一突破可能会改变安卓智能手机市场的竞争格局。长期以来，安卓手机制造商主要依赖高通和联发科的芯片。小米的自研芯片将有助于提高其自给自足能力，并在市场中脱颖而出。鉴于三星在提高其3nm GAA技术产量方面面临的问题，小米作为一家中国大陆公司，可能只剩下台积电可以与之合作批量生产3nm芯片，这进一步凸显出台积电在高端芯片制造领域的重要性。小米决定量产其首款3nm SoC芯片将受到严格审查，尤其是在全球地缘政治紧张的背景下。美国可能出台的更激进政策，也将为未来的科技竞争带来更多变数。

03

美国商务部工业与安全局（BIS）计划于2024年12月6日发布针对高带宽内存（HBM）的禁令，该禁令将涵盖HBM2E、HBM3、HBM3E等尖端规格，并将于2025年1月2日起正式生效。这一举措预计将对全球半导体行业产生深远影响，尤其是在人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和大数据处理领域的应用。

目前，全球HBM市场由SK海力士、三星和美光三家公司主导。SK海力士几乎将所有的HBM产能分配给科技巨头客户，而美光作为美国公司，无法向中国大陆供应HBM。三星在这一市场中占据重要地位，尤其是在中国大陆市场，若禁令生效，三星的中国HBM业务将面临重大冲击。

此次禁令的出台，是拜登政府加强对中国高科技领域限制的一部分。美国商会表示，除了HBM禁令，预计12月还将发布新的法规，限制向中国出口人工智能核心芯片，进一步加大对中国半导体产业的制裁力度。

美国的HBM禁令不仅是对中国半导体产业的“封锁”，更是全球科技产业格局调整的催化剂。这一禁令将进一步加剧中美在半导体领域的竞争态势，使得全球半导体产业链的未来充满变数。禁令的实施将导致全球范围内的供应紧张，尤其是在HPC、AI加速器和超级计算领域，需求依旧强劲。全球的科技公司可能需要重新评估自己的供应链结构，寻找新的供应商或技术替代方案。短期内，中国的AI、云计算和高性能计算领域的企业将面临供应链中断的风险。然而，这也将迫使中国企业加快自主研发的步伐，推动本土技术的升级与发展，缩小与国际领先水平的差距。随着禁令的实施，全球在半导体领域的技术竞争将更加激烈。除了美国主导的技术体系，其他国家和地区也将加大投入，推动产业链的多元化发展。

04

据俄罗斯联邦工业和贸易部副部长表示，俄罗斯已经拿到了第一批48核心的自研处理器“贝加尔湖”芯片！该处理器采用16nm工艺技术设计，拥有 48 个ARM Cortex-A75内核，六通道DDR4 3200 MHz 内存 - 每插槽高达 768 GB（每通道 128 GB），高速缓存：L1 - 64 KB 指令高速缓存和数据缓存，L2 - 每个核心 512 KB，L3 - 每个集群 2 MB，L4：32MB。该处理器主频高达2.2 GHz，功耗为120 W，工作温度范围为0至70摄氏度，标准Linpack超级计算机测试中的性能 为358 Gflops。

贝加尔湖-S处理器，原本采用台积电16FFC 16nm工艺，计划到2025年每年生产最多60万颗。但是没来得及量产就被断供，俄罗斯一颗芯片也没拿到。据报道， 2022年贝加尔电子在与台积电断绝关系后，取消了贝加尔湖服务器的发布和销售。台积电代工厂所在的台湾地区于2022年3月加入了西方在乌克兰特别行动背景下对俄罗斯实施的制裁 。据俄罗斯数字发展部部长透露， 2022年12月， 已经生产的多批贝加尔湖处理器被困在国外，台积电拒绝将它们送往俄罗斯。

俄罗斯成功研发并交付16nm Baikal-S处理器，显示了其在面对国际制裁和技术封锁的情况下，依然能够推动本国半导体技术的发展。这一成就有助于减少对外部技术的依赖，提升国内产业的自主性和竞争力。尽管与全球领先的3nm或5nm工艺相比，16nm工艺在技术上存在差距，但俄罗斯的这一突破意味着其半导体技术迈出了重要的一步。这将为俄罗斯的半导体产业发展注入新的活力，同时也可能带来一系列的技术和产业链效应。

在当前全球半导体供应链紧张和地缘政治紧张的背景下，俄罗斯的这一进展可能会对全球半导体产业格局产生一定影响。它表明，即使在面临外部压力的情况下，一些国家仍然能够通过自主研发来推动技术进步。虽然首批交付的Baikal-S处理器数量有限，但这为俄罗斯在自研处理器领域的发展奠定了基础。未来，俄罗斯可能会继续扩大产能，提高技术水平，以满足国内外市场的需求。

05

据韩媒报道，三星电子近期正在通过对先进封装技术的大力投资来提升其HBM（高带宽内存）的竞争力。

据了解，三星的半导体封装业务位于韩国温阳、韩国天安和中国苏州。报道称，三星在2024年第三季度获得了价值200亿韩元（约合人民币1亿元）的合同，用于扩大中国苏州工厂（SESS）的生产设施。苏州工厂是三星电子在全球范围内唯一的海外测试与封装生产基地，此次扩产计划将显著增强其在半导体封装领域的竞争力。

而由于持续的设施投资，温阳园区已达到饱和状态，这促使三星考虑在天安建立一条新的 HBM 量产封装生产线。天安堆叠工艺的扩展与 HBM DRAM 的生产能力成正比。位于天安的新生产线预计将生产最新的HBM，包括第五代（HBM3E）和第六代（HBM4）。

06

据众芯半导体官微消息，11月28日，宁波众芯半导体有限公司光电与功率器件IDM项目举行竣工暨通线庆典。

据悉，众芯发挥芯片研发和晶圆制造的技术优势，结合先进封装技术，实现中高端光电和功率器件的国产化和产业化。计划明年产能逐步爬坡至月产晶圆3万片，最终满产可达6万片，届时年产值预计10亿元。

公开资料显示，众芯半导体是一家专注于光电器件和特色功率器件的半导体芯片设计研发、晶圆制造和封装测试垂直一体化的IDM芯片公司，公司产品涵盖高速光耦、高压光耦、光继电器、光驱动电路、FRDMOS等半导体器件，广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力/电动汽车、仪器仪表等领域。

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盛美上海在半导体封装领域取得了新的进展，公司在三季度推出了三款面板级先进封装新产品，包括水平式电镀设备、边缘刻蚀设备和负压清洗设备。这些新产品的推出，标志着盛美上海在面板级先进封装技术方面迈出了重要一步，进一步增强了公司在微米级高密度封装领域的竞争力。

面板级先进封装技术是半导体封装技术中的一个重要分支，特别适用于AI封装中的GPU应用以及高密度的HBM（高带宽存储）。盛美上海推出的600mm×600mm以及515mm×510mm的面板级先进封装产品，有效解决了AI芯片在300mm硅片封装中面积受限及成本高的问题。这些新产品不仅展现了盛美上海在面板级先进封装市场的强大供应能力，而且已经获得了多家全球领先的半导体厂商的青睐，被选为AI芯片封装的解决方案。